HOME > パッケージ > PARADISEWORLD-2 > 対応プロセス例
PARADISEWORLD-2 対応プロセス例
*以下では2次元を例としますが、3次元でも同様のプロセスシミュレーションが可能です。
フォトリソグラフィ工程
レジスト膜塗布
- 対象物質表面に粘性膜を塗布するモデル
- スピンコート時のレジスト膜の粘性も考慮可能
露光・現像
- マスク通りのレジストパターンを作成する
- 収差、位相シフタ、各種照明、瞳フィルタなどの効果を取り入れたリソグラフィシミュレーションによる正確な露光形状の計算に対応予定(*開発中)
ベーク
- ベーク時の膜の変形を考慮するときに使用
レジスト除去
- 残ったレジスト膜を除去する
※詳細技術資料
- リソグラフィ工程の詳細はこちらをご覧ください。
成膜工程
CVD
- CVDによる膜成長モデル
- 表面から等方的に膜が成長
PVD
- PVDによる膜成長モデル
- 飛来する堆積物の方向性を考慮して膜が成長
酸化
- 酸素雰囲気中での酸化処理による膜成長モデル
- 酸化による体積膨張も考慮
- 膜厚計算にはDeal&Groveの式を使用
エッチング工程
ウェットエッチング
- 対象物質の表面から等方的にエッチングが進行するモデル
等方性RIE
- 反応粒子が表面から等方的に入射するモデル
異方性RIE、イオンビームエッチング
- 反応粒子が表面から垂直に入射するモデル
異方性スパッタリングエッチング
- 対象の周辺の物質もエッチングされるスパッタリングモデル
その他の工程
不純物注入、不純物拡散
- 対象領域に不純物を注入
- 対象領域の不純物を熱拡散
化合物生成
- 対象の物質同士を反応させ化合物化する(シリサイド化など)
- 化合物化による体積の変化も考慮可能
研磨(CMP)
- 対象の物質を研磨し平坦化する
